特許

J-GLOBAL ID：200903010004682832

III-V族混晶化合物半導体膜の製造方法

発明者： 永井 久隆 ,  目黒 健
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-069405
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321058
出願日： 1995年03月28日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】InGaAs膜表面の凹凸を小さくし、凹凸による表面の曇りを低減して、デバイス作製プロセスでの微細加工性を大幅に向上する。【構成】GaAs基板1上にInX Ga1-X As膜2またはIn0.5 Ga0.5 As膜3を成長するに際し、III 族原料としてトリメチルインジウムとトリエチルガリウムを用いる。そして、V族原料とIII 族原料の供給量の比V/III を20以下と小さくし、基板温度を400〜500°Cとして成長温度を下げる。V/III を小さくしてInGaAs成長温度を下げると、Inの動きが抑制されInが3次元成長しにくくなる。

請求項（抜粋）：

加熱された基板上に、III 族とV族元素を含む原料を供給してIII -V族混晶化合物半導体膜を成長する気相成長法において、III 族の原料としてトリメチルインジウム(TMIn)とトリメチルガリウム(TMGa)を用い、V族原料とIII 族原料の供給量の比V/III を20以下として、400〜500°Cに加熱された基板に供給してInGaAs膜を成長することを特徴とするIII -V族混晶化合物半導体膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/16 ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/40 502