特許
J-GLOBAL ID:200903010006734775
オゾン発生電極用絶縁皮膜の形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
青山 葆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-361063
公開番号(公開出願番号):特開2002-167202
出願日: 2000年11月28日
公開日(公表日): 2002年06月11日
要約:
【要約】【課題】 オゾン発生電極の絶縁皮膜として、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる電極板上に、100μm以上の膜厚の無機質皮膜を得ることができる方法を提供すること。【解決手段】 オゾン発生電極の電極板上に絶縁皮膜を形成する方法において、チタン酸バリウムウィスカーを無機質金属酸化物ゾルに混入させる、混入工程と、混入工程後の無機質金属酸化物ゾルを、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる電極板上に塗布する、塗布工程と、塗布工程後の無機質金属酸化物ゾルを熱処理して絶縁皮膜を形成する、熱処理工程と、を有することを特徴としている。
請求項(抜粋):
オゾン発生電極の電極板上に絶縁皮膜を形成する方法において、チタン酸バリウムウィスカーを無機質金属酸化物ゾルに混入させる、混入工程と、混入工程後の無機質金属酸化物ゾルを、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる電極板上に塗布する、塗布工程と、塗布工程後の無機質金属酸化物ゾルを熱処理して絶縁皮膜を形成する、熱処理工程と、を有することを特徴とするオゾン発生電極用絶縁皮膜の形成方法。
IPC (8件):
C01B 13/11
, C01B 13/14
, C01G 1/02
, C23C 18/06
, C23C 18/12
, C01B 33/12
, C01G 23/00
, C01G 23/04
FI (8件):
C01B 13/11 G
, C01B 13/14 Z
, C01G 1/02
, C23C 18/06
, C23C 18/12
, C01B 33/12 Z
, C01G 23/00 B
, C01G 23/04 Z
Fターム (44件):
4G042CA01
, 4G042CC05
, 4G042CC21
, 4G042DA01
, 4G042DA02
, 4G042DB11
, 4G042DC03
, 4G042DD02
, 4G042DE09
, 4G042DE13
, 4G047CA02
, 4G047CA05
, 4G047CA06
, 4G047CA07
, 4G047CC03
, 4G047CD05
, 4G072AA25
, 4G072AA35
, 4G072AA36
, 4G072AA37
, 4G072AA38
, 4G072BB09
, 4G072FF04
, 4G072GG02
, 4G072HH28
, 4G072HH29
, 4G072HH30
, 4G072JJ46
, 4G072RR05
, 4G072RR12
, 4G072TT30
, 4G072UU01
, 4G072UU30
, 4K022AA02
, 4K022AA41
, 4K022BA02
, 4K022BA15
, 4K022BA20
, 4K022BA22
, 4K022BA26
, 4K022BA33
, 4K022BA36
, 4K022DA06
, 4K022DB01
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