特許

J-GLOBAL ID：200903010018030277

走査型荷電粒子ビーム装置を用いた欠陥検査方法

発明者： 則岡 節雄
出願人/特許権者： 日本電子株式会社
代理人 (2件)： 井島 藤治 ,  鮫島 信重
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-207075
公開番号（公開出願番号）：特開2005-061837
出願日： 2003年08月11日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】半導体LSIなどの被検査試料の表面に生じた欠陥の検査を、パターンマッチング技術を用いて高い精度で短時間に行なうことができる走査型荷電粒子ビーム装置を用いた欠陥検査方法【解決手段】メモリー系素子のメモリー箇所のパターン形状のように、パターンがアレイ状となっており、いわゆる繰り返し図形である場合には、コンタクトホールを8個含むマッチングサイズを選び、その基準マッチングサイズとして、図3の走査電子顕微鏡像の視野中左上に実線で囲まれた領域Aを選択する。このマッチングサイズAを検査画像Iの全体に対してサーチし、その結果、マッチングした部分が図中で実線、点線、一点鎖線で囲まれた領域であり、マッチングできなかった部分Bが残る。第2段階として、例えば、コンタクトホール1個を含むようにマッチングサイズを選び、この残り部分Bに対して、パターンマッチングを実行する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

物質の表面に形成された構造の欠陥を検査する方法であって、最初に光学式欠陥検査装置によって被検査物質の表面構造の欠陥部分の位置と大きさを検出し、次に被検査物質を走査型荷電粒子ビーム装置の移動ステージ上に装填し、光学式検査装置によって検出された欠陥位置で欠陥の大きさに対応した領域で荷電粒子ビームを2次元走査し、この走査によって被検査物質から得られた信号を検出し、検出信号を画像信号として記憶し、該記憶された画像を整数で分割し、分割されたそれぞれの領域のパターンを基準パターンとして他の分割された領域のパターンとマッチング処理を行ない、マッチングした領域以外を欠陥領域とした走査型荷電粒子ビーム装置を用いた欠陥検査方法。

IPC (7件)：

G01N23/225 ,  G01N21/956 ,  G03F1/08 ,  H01J37/22 ,  H01J37/28 ,  H01L21/027 ,  H01L21/66

FI (7件)：

G01N23/225 ,  G01N21/956 A ,  G03F1/08 S ,  H01J37/22 502H ,  H01J37/28 B ,  H01L21/66 J ,  H01L21/30 502V

Fターム (38件)：

2G001AA03 ,  2G001BA07 ,  2G001BA15 ,  2G001CA03 ,  2G001FA02 ,  2G001FA03 ,  2G001FA07 ,  2G001FA29 ,  2G001GA06 ,  2G001HA09 ,  2G001HA13 ,  2G001KA03 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001PA11 ,  2G051AA51 ,  2G051AB07 ,  2G051AC02 ,  2G051AC21 ,  2G051BA10 ,  2G051CB05 ,  2G051EA12 ,  2G051ED08 ,  2H095BA08 ,  2H095BD14 ,  2H095BD28 ,  4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106BA05 ,  4M106CA39 ,  4M106DB02 ,  4M106DB08 ,  4M106DB18 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21 ,  5C033UU05 ,  5C033UU06