特許

J-GLOBAL ID：200903010021365158

半導体圧力センサ

発明者： 国安 利明 ,  福永 敏明
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-073682
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170962
出願日： 2001年03月15日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：

【要約】【課題】 ピエゾ抵抗効果を用いた半導体圧力センサにおいて、高温下においても安定に使用でき、高い経時信頼性を得る。【解決手段】 GaN基板15'上に、i-Ga1-z1Alz1N層16、p-GaNピエゾ抵抗層17を成長する。p-GaN層17をエッチングしてピエゾ抵抗部18を形成し、SiN絶縁膜19を全面に形成し、ピエゾ抵抗部18の部分を開口した後、Ni/Auからなる電極20を形成する。GaN基板15'の裏面全面に、P-CVD法によってSiN膜21を形成し、選択エッチングにより、SiN膜21とGaN基板15'を、i-Ga1-z1Alz1N層16が露出するまでエッチングする。

請求項（抜粋）：

下面の一部を露出させて半導体の支持部で支持された半導体薄膜層の上面の、前記露出された露出部と前記支持部との境界付近にピエゾ抵抗部が設けられてなる半導体圧力センサにおいて、前記支持部と半導体薄膜層とピエゾ抵抗部とが、窒化物半導体からなることを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (4件)：

H01L 29/84 ,  G01L 9/04 101 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/34

FI (4件)：

H01L 29/84 A ,  G01L 9/04 101 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/34

Fターム (43件)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD04 ,  2F055EE14 ,  2F055FF38 ,  2F055FF49 ,  2F055GG01 ,  2F055GG12 ,  4K030AA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030FA10 ,  4K030HA03 ,  4K030LA14 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA07 ,  4M112CA11 ,  4M112DA03 ,  4M112DA06 ,  4M112DA07 ,  4M112EA07 ,  4M112EA09 ,  4M112EA10 ,  4M112EA11 ,  4M112EA20 ,  4M112FA05 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045DA53 ,  5F045HA21