特許

J-GLOBAL ID：200903010035908405

酸化物超格子

発明者： 中川原 修 ,  川合 知二
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-077006
公開番号（公開出願番号）：特開2001-302400
出願日： 2000年03月17日
公開日（公表日）： 2001年10月31日
要約：

【要約】【課題】 2種類以上のペロブスカイト型酸化物薄膜を繰り返し積層した酸化物超格子において、その誘電特性、特に比誘電率を向上させる。【解決手段】 SrTiO<SB>3</SB>基板11の(111)面の上に、BaTiO<SB>3</SB>薄膜12とSrTiO<SB>3</SB>薄膜13とを交互にエピタキシャル成長させ、(111)面配向したBaTiO<SB>3</SB>薄膜12と(111)面配向したSrTiO<SB>3</SB>薄膜13とを交互に積層した酸化物超格子(歪み超格子)を作製した。この酸化物超格子の分極軸は、<001>方向を向いているので、分極軸の方向は両薄膜12、13の配向方向である<111>方向から傾いている。

請求項（抜粋）：

基板上に、化学式ABO3(ただし、AはCa、Sr、Ba、Pb、Laからなる群より選択された少なくとも1種の元素;BはTi、Zr、Nb、Taからなる群より選択された少なくとも1種の元素)で表される少なくとも2種類のペロブスカイト型酸化物薄膜が積層された酸化物超格子において、前記酸化物薄膜が、それぞれの分極軸と異なる方位に配向していることを特徴とする酸化物超格子。

IPC (2件)：

C30B 29/68 ,  C30B 29/32

FI (2件)：

C30B 29/68 ,  C30B 29/32 C

Fターム (5件)：

4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BC42 ,  4G077DA03 ,  4G077ED06