特許
J-GLOBAL ID：200903010036990040
薄膜トランジスターの製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-257897
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115201
出願日： 1993年10月15日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：
【要約】【目的】 不純物イオンの注入回数を増やすことなく、生産性のよいOFF特性の優れた薄膜トランジスターの製造装置を提供する。【構成】 ゲート電極3を形成して不純物イオンを注入した後、基板を回転させながら斜め上方よりエネルギービームを照射することにより半導体層1を複数の領域に区分する。(図1(f))
請求項（抜粋）：
ゲート電極に対し、ゲート絶縁膜を間に挟んで設けた半導体層が複数の領域に区分され、該半導体層の該ゲート電極に対向する部分にチャネル領域が、該チャネル領域に隣接する両側部分の少なくとも一方に不純物の活性度が低い半導体領域が形成され、該チャネル領域および該不純物の活性度が低い半導体領域を囲んで隣接する両側部分に不純物の活性度が高い半導体領域が形成される薄膜トランジスターの製造装置において、該半導体膜、該ゲート絶縁膜、該ゲート電極を順次形成して、不純物イオンの注入を行った後、基板またはエネルギービーム照射口またはその両方を回転させながら該基板表面に対して斜め上方よりエネルギービームの照射を行うことにより半導体層を複数の領域に区分することを特徴とした薄膜トランジスターの製造装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/268
