絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-238712
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055246
出願日： 1991年08月26日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 LDD構造を作製する方法として、アスペクト比が1以上の高アスペクト比のゲイト電極でも何ら問題なく実施できる全く新しい方法を提唱する。【構成】 MOSFETにおいて、LDD領域を形成するにあたって、最初に、ゲイト電極となるべき部分11をマスクとしてセルフアライン法で低濃度不純物領域13(第1の不純物領域)を形成したのち、熱酸化法等の方法によってゲイト電極となるべき部分を酸化し、内部にゲイト電極15を形成し、ゲイト電極側面に生成した酸化物層14をマスクとしてセルフアライン法で高濃度不純物領域16(第2の不純物領域)を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体上に形成された絶縁性被膜上に、ゲイト電極となるべき部分を形成する工程と、前記部分をマスクとして不純物を半導体中に導入し、自己整合的に第1の不純物領域を形成する工程と、前記部分の少なくとも側面を酸化する工程と、前記工程によって酸化されたゲイト電極の部分をマスクとして不純物を半導体中に導入し、自己整合的に第2の不純物領域を形成する工程とを有することを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法。

IPC (2件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭62-140464
特開昭63-023362

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