特許

J-GLOBAL ID：200903010041372525

半導体不揮発性記憶装置およびそのデータ消去方法

発明者： 荒瀬 謙士朗
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-203879
公開番号（公開出願番号）：特開平8-063987
出願日： 1994年08月29日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】ビット毎ベリファイ消去動作を行うことができ、消去後のしきい値電圧のバラツキを抑えることができ、ひいては、過剰消去不良が起こりにくく、読み出しマージンが大きく、今後の電源電圧の低電圧化に適した半導体不揮発性記憶装置およびそのデータ消去方法を実現する。【構成】NOR型のフラッシュEEPROMにおいて、データ書き込みはドレイン側よりチャネルホットエレクトロンによりフローティングゲート電子を注入することにより行い、消去もワード線にマイナス電圧を印加し、全ビット線にプラス電圧を印加して、ドレイン側よりFNトンネリングによりフローティングゲートから電子を引き抜くことにより行う。その結果、ビット毎ベリファイを行いながら消去動作を行えるようになり、消去後のしきい値電圧Vth分布広がりを大幅に抑えることができる。

請求項（抜粋）：

ドレイン側からチャネルホットエレクトロンにより電子蓄積層中に電子を注入することによりメモリセルトランジスタへのデータの書き込みを行う半導体不揮発性記憶装置であって、ゲートにマイナス電圧を印加し、ドレインにプラス電圧を印加してドレイン側からFNトンネリングにより電子蓄積層中の電子を引き抜いてデータの消去を行う消去手段を有する半導体不揮発性記憶装置。

IPC (5件)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 530 A ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371