特許
J-GLOBAL ID:200903010042653463
ビアホール構造とその形成方法およびこれを用いた多層配線基板
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-249374
公開番号(公開出願番号):特開2002-064274
出願日: 2000年08月21日
公開日(公表日): 2002年02月28日
要約:
【要約】【課題】複数の樹脂絶縁層と金属配線層からなる多層配線基板の配線ピッチの細線化、同時に電気的信頼性の高いビアホールの構造および形成方法および多層配線基板を提供する。【解決手段】樹脂絶縁膜よりなる絶縁層と導体膜よりなる配線層とが交互に積層されてなる多層配線基板において、上下の配線層を電気的に接続させるビアホールの開口部の短径と長径とが異なる扁平形状または楕円形状もしくは矩形であるビアホール14によって上下の金属配線層の導通をとる。
請求項(抜粋):
樹脂絶縁膜よりなる絶縁層と導体膜よりなる配線層とが交互に積層されてなる多層配線基板に形成されたビアホール構造において、上下の配線層を電気的に接続させるビアホールの開口部の短径と長径とが異なる扁平形状または楕円形状もしくは矩形であることを特徴とするビアホール構造。
IPC (2件):
FI (2件):
H05K 3/46 N
, H05K 1/11 H
Fターム (15件):
5E317AA25
, 5E317BB01
, 5E317BB11
, 5E317CC53
, 5E317CD32
, 5E317GG11
, 5E346AA41
, 5E346CC10
, 5E346CC32
, 5E346CC58
, 5E346DD12
, 5E346DD48
, 5E346FF14
, 5E346GG15
, 5E346GG22
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