p-キシリレンのコポリマーおよび多ビニル・シリコン/酸素コモノマーの化学気相堆積

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-554482
公開番号（公開出願番号）：特表2002-518837
出願日： 1999年06月08日
公開日（公表日）： 2002年06月25日
要約：

【要約】低い誘電率を持つ薄いポリマー層を半導体基板上に形成する方法を提供する。一実施形態で当該方法は、安定したジ-p-キシリレンの気化、そのような気体状二量体材料の反応性モノマーへの熱的変換、および結果として生じた気体状p-キシリレンモノマーの、シリコン-酸素結合および少なくとも2つの側鎖炭素-炭素二重結合を持つ1つ以上のコモノマーとの混合を含む。コポリマー膜はパリレン-N・ホモポリマーと比較して、低い誘電率、向上した熱的安定性、および酸化シリコン層への優れた付着性を有する。

請求項（抜粋）：

目標物の表面上に薄いポリマー層を形成する方法であって、堆積チャンバ中に目標物を配置する工程と、 p-キシリレンモノマーと、少なくとも1つのシリコン-酸素結合と少なくとも2つの側鎖炭素-炭素二重結合を有するコモノマーを前記チャンバ中に流す工程と、前記目標物上に薄いコポリマー層を堆積する工程とを含む方法。

IPC (5件)：

H01L 21/312 , C08F212/12 , C08F230/08 , C08G 61/12 , H01L 21/316

FI (5件)：

H01L 21/312 C , C08F212/12 , C08F230/08 , C08G 61/12 , H01L 21/316 X

Fターム (21件)：

4J032CA06 , 4J032CA07 , 4J032CB03 , 4J032CB04 , 4J032CB11 , 4J032CE01 , 4J032CE20 , 4J032CE22 , 4J032CE24 , 4J032CG01 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AF02 , 5F058AH02 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BF07 , 5F058BF22 , 5F058BF27 , 5F058BJ02

前のページに戻る