自己消弧形半導体素子のゲート制御方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-124686
公開番号（公開出願番号）：特開平8-322240
出願日： 1995年05月24日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【目的】電圧制御形の自己消弧形電力用半導体素子の温度に対応してゲート駆動回路の出力を調整して該素子の損失や跳ね上がり電圧を抑制する。【構成】IGBT1のケース温度を温度センサ201で検出し、検出した温度を変換器31で電圧に変換し、この電圧とオン・オフ信号との乗算演算を掛算器32で行い、掛算器32の出力を積分器33で積分した出力によりIGBT1のゲートに給電することにより、IGBT1の損失や跳ね上がり電圧をほぼ一定とする。

請求項（抜粋）：

電圧制御形の自己消弧形電力用半導体素子をターンオンさせるための自己消弧形半導体素子のゲート制御方法において、前記自己消弧形電力用半導体素子の温度を検出し、検出した温度に対応して該素子のターンオン時のゲート電圧の立ち上がり波形を調整することを特徴とする自己消弧形半導体素子のゲート制御方法。

IPC (3件)：

H02M 1/08 , H02M 1/00 , H02M 7/537

FI (3件)：

H02M 1/08 A , H02M 1/00 R , H02M 7/537 E

前のページに戻る