特許

J-GLOBAL ID：200903010055830186

光半導体装置

発明者： 西村 晋 ,  上山 孝二
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社 ,  鳥取三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-306349
公開番号（公開出願番号）：特開2003-110152
出願日： 2001年10月02日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】【課題】 光半導体装置において半導体基板の材料に制限を受けることなく、静電気などの過電圧および逆電圧による発光素子の破壊を防止する。【解決手段】 下面電極2を有する半導体基板1と、この半導体基板1の上面に形成された端子電極3と、異なる面側に正・負の表面電極41a,41bを有する発光素子4とを備える。表面電極41aを端子電極3に接続し、半導体基板1の抵抗値Rを発光素子4の作動時抵抗値よりも大きくし、且つ発光素子4の表面電極41bと半導体基板1の下面電極2とを同電位とし、端子T1と端子T2との間に駆動電圧を印加する。

請求項（抜粋）：

下面に電極が形成され半導体基板と、この半導体基板の上面に形成された端子電極と、異なる面側に正・負の表面電極を有する発光素子とを備え、前記表面電極のいずれか一方を前記端子電極に接続し、前記半導体基板の抵抗値を前記発光素子の作動時抵抗値よりも大きくし、且つ前記端子電極と接続していない方の発光素子の表面電極と半導体基板の下面の電極とを同電位とし、前記端子電極と接続していない方の発光素子の表面電極と、前記端子電極との間に駆動電圧を印加することを特徴とする光半導体装置。

FI (2件)：

H01L 33/00 N ,  H01L 33/00 C

Fターム (5件)：

5F041AA23 ,  5F041BB22 ,  5F041CA40 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体発光装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-034168   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-150473   出願人：サンケン電気株式会社