特許
J-GLOBAL ID：200903010057265036
超伝導積層薄膜およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-201651
公開番号（公開出願番号）：特開平6-048738
出願日： 1992年07月29日
公開日（公表日）： 1994年02月22日
要約：
【要約】【目的】 Bi系酸化物超伝導体の超伝導特性劣化の原因となる相互拡散や配向性の乱れ等を少なくするとともに、ジョセフソン接合形成を容易とする。【構成】 SrTiO<SB>3 </SB>(100)単結晶基板面に対し、その法線から(111)方向に傾けて研磨することにより<1-10>方向にステップを形成した基板1上において、Bi<SB>2 </SB>Sr<SB>2 </SB>CuO<SB>z </SB>系酸化物をヘテロエピタキシャル成長させたバッファー層2を形成し、その上部に、中間層であるBi<SB>2 </SB>Sr<SB>2 </SB>CuO<SB>z </SB>系酸化物層4の両側を挟んだBi<SB>2 </SB>(Sr<SB>1-x </SB>Ca<SB>x </SB>)<SB>3 </SB>Cu<SB>2 </SB>O<SB>y </SB>系超伝導体層3,5を形成する。
請求項（抜粋）：
SrTiO<SB>3 </SB>(100)単結晶基板面の法線から(111)方向に傾けて研磨することにより<1-10>方向にステップを形成した単結晶基板と、単結晶基板上に形成されたBi<SB>2 </SB>Sr<SB>2 </SB>CuO<SB>z </SB>系酸化物よりなるバッファー層と、バッファー層の上面に形成されたBi<SB>2 </SB>(Sr<SB>1-x </SB>Ca<SB>x </SB>)<SB>3 </SB>Cu<SB>2 </SB>O<SB>y </SB>系超伝導体よりなる第1の超伝導体層と、第1の超伝導体層の上面に形成されたBi<SB>2 </SB>Sr<SB>2 </SB>CuO<SB>z </SB>系酸化物よりなる中間層と、中間層の上面に形成されたBi<SB>2 </SB>(Sr<SB>1-x </SB>Ca<SB>1 </SB>)<SB>3 </SB>Cu<SB>2 </SB>O<SB>y </SB>系超伝導体よりなる第2の超伝導体層を有することを特徴とする超伝導積層薄膜。
IPC (5件)：
C01G 29/00 ZAA
, C01G 1/00
, H01B 12/06 ZAA
, H01B 13/00 565
, H01L 39/24 ZAA
