特許

J-GLOBAL ID：200903010057420511

半導体記憶装置

発明者： 野口 峰男
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-192582
公開番号（公開出願番号）：特開2002-015599
出願日： 2000年06月27日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】 テストモードへ移行する際の電圧検出において、プロセスばらつき等に影響されない安定した電圧検出を可能とする。【解決手段】 外部電源電圧が入力され内部参照電圧を発生する参照電圧生成回路と、内部参照電圧が入力され所定値の基準電圧を出力する基準電圧回路と、所定値の基準電圧がゲート電極に与えられ、ソースが外部信号が入力されるパッドに電気的に接続され、ドレインが抵抗手段を介して接地電圧に接続されたPMOSトランジスタと、入力端子がPMOSトランジスタのドレインと抵抗手段の間のノードに接続され、ノードの電圧に応じてテストモードへ移行するテストモード信号を出力するテストモード制御回路とを有することを特徴とする半導体記憶装置。

請求項（抜粋）：

外部電源電圧が入力され内部参照電圧を発生する参照電圧生成回路と、内部参照電圧が入力され所定値の基準電圧を出力する基準電圧回路と、前記所定値の基準電圧がゲート電極に与えられ、ソースが外部信号が入力されるパッドに電気的に接続され、ドレインが抵抗手段を介して接地電圧に接続されたPMOSトランジスタと、入力端子が前記PMOSトランジスタのドレインと前記抵抗手段の間のノードに接続され、該ノードの電圧に応じてテストモードへ移行するテストモード信号を出力するテストモード制御回路とを有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (5件)：

G11C 29/00 671 ,  G01R 19/165 ,  G01R 31/28 ,  G01R 31/3185 ,  G06F 12/16 330

FI (5件)：

G11C 29/00 671 T ,  G01R 19/165 A ,  G06F 12/16 330 A ,  G01R 31/28 B ,  G01R 31/28 W

Fターム (14件)：

2G032AA07 ,  2G032AB01 ,  2G032AK14 ,  2G032AL00 ,  2G035AA00 ,  2G035AB02 ,  2G035AC16 ,  2G035AD23 ,  2G035AD24 ,  2G035AD56 ,  5B018GA04 ,  5B018JA30 ,  5B018QA13 ,  5L106DD11

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-259998
  
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-031444   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
• 特開平4-259998