特許

J-GLOBAL ID：200903010059355717

窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法

発明者： 上村 俊也 ,  小塩 高英
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-307946
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126923
出願日： 1997年10月21日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：

【要約】【課題】基板裏面に金属層を形成すること。【解決手段】基板上に半導体層が形成されたウエハを設定されたダイシングラインに沿って基板の裏面側から基板の厚さの略3/4 の深さに分離溝21を形成した後に、半導体層側より分離溝21に対応した位置で基板が表れるまで分離溝22を形成する。次に,裏面11bを研磨し,分離溝22の痕跡が残る程度に基板11を薄板化し,裏面11b全体に, Alの蒸着により金属層10を形成し,分離溝21に対応した溝23が形成される。次に,電極パッド20上に粘着シート24を貼着し,金属層10側から溝23に沿ってスクライビングし,スクライブラインを形成する。次に,ウエハに荷重を作用させてブレーキングし,裏面11bに金属層10が形成された発光素子100の製造が可能となる。基板11側に進行した光は,裏面11bに形成された金属層10によって反射され,電極18A,18B側からの光取り出し効率が向上し, 高発光強度が得られる。

請求項（抜粋）：

基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が形成されたウエハを、その裏面側から所定の第1の深さに切削し、第1の溝を形成する第1の工程と、前記ウエハを、その表面側から第1の溝にほぼ対応する位置で所定の第2の深さに切削し、第2の溝を形成する第2の工程と、前記第1の溝の痕跡が残る程度に前記基板の裏面を研磨する第3の工程と、前記第3の工程の後、前記基板の裏面に金属層を形成する第4の工程と、前記第4の工程の後、前記金属層側から前記第1の溝に沿ってスクライビングする第5の工程と、前記第5の工程の後、前記ウエハをブレーキングし、各素子に分離する第6の工程とを備えたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法。