特許

J-GLOBAL ID：200903010060068128

バンプ付きダミーチップ及びフリップチップ実装評価方法

発明者： 小山 茂昭
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-242263
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068514
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】 フリップチップ実装工程の評価を簡易な手法で且つ短時間に行えるようにする。【解決手段】 バンプ付きLSIチップを配線基板にフリップチップ実装する工程を評価する際、透明ガラスからなり且つ寸法形状が製品のLSIチップと同じダミーチップ1の片面に製品のバンプと同じバンプ4が製品のバンプ付きLSIチップと同じ配列で且つ同じバンプ下地金属膜2を介して形成されたバンプ付きダミーチップを使用してフリップチップ実装のトライアルを行い、トライアル品のボンディング部分とその周辺をダミーチップ1を透して目視により観察することで、ボンディング位置精度、バンプ接続形状等をチェックする。

請求項（抜粋）：

LSIチップの一面にバンプが配設されてなるバンプ付きLSIチップを配線基板にフリップチップ実装する工程を評価するためのバンプ付きダミーチップであって、透明ガラスからなり且つ寸法形状が該LSIチップと同一であるダミーチップの一面に、該バンプ付きLSIチップのバンプと同一のバンプが該バンプ付きLSIチップと同一の配列で且つ該バンプ付きLSIチップと同一のバンプ下地金属膜を介して配設されてなることを特徴とするバンプ付きダミーチップ。

IPC (4件)：

H01L 21/60 321 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/56 ,  H05K 1/18

FI (4件)：

H01L 21/60 321 Y ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/56 E ,  H05K 1/18 L

Fターム (11件)：

5E336AA04 ,  5E336BB01 ,  5E336CC34 ,  5E336CC58 ,  5E336GG11 ,  5F044QQ00 ,  5F044QQ01 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA05 ,  5F061GA03