特許
J-GLOBAL ID：200903010062089840
磁気抵抗効果型センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-259710
公開番号（公開出願番号）：特開平11-101861
出願日： 1997年09月25日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 センサ材料によらずに高検出感度を示す新規構成の実現を図る。【解決手段】 GMR素子10a、バイアス磁界発生源12a、抵抗検出回路14、交流電源18、外部磁界検出部20および電流磁界変換回路21を具えている。外部磁界は、GMR素子により電気抵抗の変化として検出される。抵抗検出回路は、GMR素子に電流を流して、その電流の変化量をGMR素子の電気抵抗変化として検出する。抵抗検出回路は、GMR素子の電気抵抗に対応した大きさの電気信号を出力する。また、このGMR素子に近接させてバイアス磁界発生源を設けてある。交流電源によりこのバイアス磁界発生源にバイアス電流を流して、このバイアス磁界発生源を電磁石として機能させる。バイアス磁界発生源により、GMR素子に対して一定の方向aに、バイアス電流に対応した大きさのバイアス磁界が印加される。
請求項（抜粋）：
順次に積層した第1強磁性体層、非磁性体層および第2強磁性体層を具えており、向きが固定された前記第1強磁性体層の磁化と外部磁界に従い向きが変化する前記第2強磁性体層の磁化とのなす角度に応じて異なる電気抵抗を示す巨大磁気抵抗効果素子と、バイアス電流に対応した大きさのバイアス磁界を前記巨大磁気抵抗効果素子に印加するバイアス磁界発生源と、前記バイアス電流としての交流電流を供給する交流電源と、前記巨大磁気抵抗効果素子の電気抵抗に対応した大きさの電気信号を出力する抵抗検出回路と、前記電気信号の変化に応じて前記バイアス電流の値を検出することにより、前記外部磁界の変化を検出する外部磁界検出部とを具えることを特徴とする磁気抵抗効果型センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01R 33/06 R
, H01L 43/08 Z
