特許

J-GLOBAL ID：200903010063185680

窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 日野 智公 ,  浅野 竹春 ,  朝妻 庸紀 ,  喜嶋 悟 ,  船戸 健次 ,  冨谷 茂隆
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-108074
公開番号（公開出願番号）：特開2003-289047
出願日： 1998年11月26日
公開日（公表日）： 2003年10月10日
要約：

【要約】【課題】 低結晶欠陥密度の高品質の単結晶の窒化物系III-V族化合物半導体を成長させることができる窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法、この成長方法を用いて製造される半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に成長マスクを形成し、この成長マスクを用いて基板上に窒化物系III-V族化合物半導体を選択成長させる場合に、成長マスクとして、少なくとも最表面が窒化物からなり、かつ、幅が4.8μm以下のストライプ形状の多層膜を用いる。成長マスクは、酸化膜とその上の窒化膜とからなるもの、金属膜とその上の窒化膜とからなるもの、酸化膜とその上の窒化物および酸化物からなる膜とその上の窒化膜とからなるもの、第1の金属膜とその上の第2の金属膜とその上の窒化膜とからなるものなどである。

請求項（抜粋）：

基板上に成長マスクを形成し、上記成長マスクを用いて上記基板上に窒化物系III-V族化合物半導体を選択成長させるようにした窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法において、上記成長マスクとして、少なくとも最表面が窒化物からなり、かつ、幅が4.8μm以下のストライプ形状の多層膜を用いることを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

Fターム (39件)：

5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA14 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA83 ,  5F041CA91 ,  5F041CB36 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DB02 ,  5F045DB06 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA61 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA30 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29