特許

J-GLOBAL ID：200903010065829984

半導体集積回路

発明者： マーティン シュレムス
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-098944
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345949
出願日： 1999年04月06日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 DRAMセル中で使用されるような改善された埋込みプレートを有するトレンチキャパシタを提供する。【解決手段】 トレンチの上部を裏打ちする酸化物カラーの下方にトレンチ側面の下部を裏打ちするエピタキシャル層を有するトレンチキャパシタを含む。

請求項（抜粋）：

トレンチの上部を裏打ちする酸化物カラーの下方にトレンチ側面の下部を裏打ちするエピタキシャル層を有するトレンチキャパシタを含むことを特徴とする、半導体集積回路。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 625 A ,  H01L 27/04 C