半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内原晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-237545
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074951
出願日： 1991年09月18日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】多層配線のビアホールを形成するホトリソグラフィ工程において、露光時に下層配線表面からの反射光を防ぐ。【構成】第1のAl配線6表面に窒化チタン膜7が被着された下層配線を形成する。この上に第2の層間絶縁膜9を被着した後、ホトレジスト10を塗布し、ビアホールパターンを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体装置の多層配線構造の形成工程において、半導体基板上に、絶縁膜を介して導電体膜を被着する工程と、前記導電体膜上に、窒化チタン膜を被着する工程と、前記窒化チタン膜上に第1のホトレジストを塗布し、該ホトレジストを所望のパターンに露光,現像する工程と、前記第1のホトレジストをマスクとして、前記窒化チタン膜,および前記導電体膜をエッチングし、下部配線層を形成する工程と、前記下部配線層上に、層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上に、第2のホトレジストを塗布し、該ホトレジストを所望のパターンに露光,現像する工程と、前記第2のホトレジストをマスクとして、前記層間絶縁膜をエッチングし、前記下部配線層に達するビアホールを形成する工程と、前記ビアホールを含む前記層間絶縁膜上に上部配線層を形成し、該ビアホールを介して前記上部配線層と前記下部配線層とを接続する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/90 , H01L 21/027 , H01L 21/3205 , H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 21/30 361 T , H01L 21/88 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-312235
特開平1-255250
特開平2-271631

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