特許

J-GLOBAL ID：200903010068807930

熱電変換モジュールおよびそれを用いた熱交換器

発明者： 首藤 直樹 ,  竹田 博光 ,  近藤 成仁
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-087036
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289929
出願日： 2001年03月26日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】 約300°C以上の温度でも十分な熱電変換機能を有する熱電変換モジュールおよびそれを用いた熱交換器を提供する。【解決手段】 本発明は、スクッテルダイト型結晶構造を有する複数のp型半導体11と、このp型半導体11と交互に配列されスクッテルダイト型結晶構造を有する複数のn型半導体12と、銀を主成分とし、p型半導体11及びn型半導体12に接する第1の面と、この第1の面に対向しp型半導体11及びn型半導体12に接する第2の面とに形成され、p型半導体11とn型半導体12とを電気的に直列に接続する複数の電極13、14と、p型半導体11もしくはn型半導体12と電極13、14との間に形成される複数の銀-アンチモン合金層17とを具備することを特徴とする熱電変換モジュール10である。

請求項（抜粋）：

スクッテルダイト型結晶構造を有する複数のp型半導体と、このp型半導体と交互に配列されスクッテルダイト型結晶構造を有する複数のn型半導体と、銀を主成分とし、前記p型半導体及び前記n型半導体に接する第1の面と、この第1の面に対向し前記p型半導体及び前記n型半導体に接する第2の面とに形成され、前記p型半導体と前記n型半導体とを電気的に直列に接続する複数の電極と、前記p型半導体もしくは前記n型半導体と前記電極との間に形成される複数の銀-アンチモン合金層とを具備することを特徴とする熱電変換モジュール。

IPC (7件)：

H01L 35/32 ,  C22C 12/00 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/18 ,  H01L 35/30 ,  H01L 35/34 ,  H02N 11/00

FI (7件)：

H01L 35/32 A ,  C22C 12/00 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/18 ,  H01L 35/30 ,  H01L 35/34 ,  H02N 11/00 A