薄膜電界効果トランジスタ及び相補型薄膜電界効果トランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：南條眞一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-145928
公開番号（公開出願番号）：特開平7-131017
出願日： 1993年06月17日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】良好な周波数特性を実現することができるTFTの構造を得る。【構成】 TFTの動作領域を、絶縁基板上に積層されたソース領域,チャンネル領域及びドレイン領域を切断した端面の半導体層で構成し、切断端面にゲート電極が設ける。この切断端面は対向して形成してもよい。また、隣接して構成されたTFTを異なる型のTFTで構成することにより相補型構成とする。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に複数の半導体層が積層して形成され、該積層して形成された複数の半導体層を切断して端面が形成され、該端面上に絶縁層が形成され、該絶縁層上に導電層が形成され、前記複数の半導体層が各々MOSFETのソース領域、チャンネル領域及びドレイン領域とされ、前記絶縁層がMOSFETのゲート絶縁膜とされ、前記導電層がMOSFETのゲート電極とされることによって薄膜電界効果トランジスタ。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭58-071664
特開昭61-144875
特開昭63-293881

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