基板処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-287950
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170811
出願日： 2001年09月21日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：

【要約】【課題】ドライエッチングを経た基板にはドライエッチング時に反応生成物が生成される。この反応生成物は次工程のために除去される必要がある。よって、従来技術では基板に対して、ノズルから処理液として反応生成物の除去液、除去液を洗い流す中間リンス液、純水を順に供給している。従来の基板処理装置においては基板に各種処理液を供給するにあたっての工夫が特になされておらず、さらなる処理品質の向上の余地があった。【解決手段】そこで本発明の基板処理装置1では、加圧ポンプ27で処理液を加圧して基板に供給するため高圧の処理液が反応生成物に供給される。このため反応生成物が基板Wから良好に除去される。

請求項（抜粋）：

レジスト膜をマスクとして基板の表面に存在する薄膜をドライエッチングするドライエッチング工程を経た基板から、該ドライエッチング工程によって基板上に生成された反応生成物を除去する基板処理装置であって、前記ドライエッチング工程を経た基板を保持して回転する保持回転部と、回転している基板に対して反応生成物を除去する除去液を供給する除去液供給部と、回転している基板に対して純水を供給する純水供給部と、液体を加圧して送出する液体加圧部とを有し、前記液体加圧部は前記除去液供給部に対して加圧された除去液を供給し、前記除去液供給部は加圧された除去液を基板に噴射する除去液噴射ノズルを有する基板処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/306 , H01L 21/304 643 , H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/304 643 A , H01L 21/306 R , H01L 21/302 N

Fターム (7件)：

5F004AA09 , 5F004AA14 , 5F004DB08 , 5F004EB02 , 5F043CC16 , 5F043EE07 , 5F043EE08

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