パターン形成方法、半導体デバイス、電気回路、表示体モジュール、カラーフィルタおよび発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：村上友一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-311184
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124213
出願日： 2001年10月09日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】製造工程の簡略化により製造コストの削減が可能なパターン形成方法の提供を目的とする。【解決手段】被処理部材の表面にレジスト膜を設ける工程(S270)と、レジスト膜により配線パターンの凹部を形成する工程(S272)と、レジスト膜の表面にパターン材料溶液に対する撥液処理を施す工程(S274)と、配線パターンの凹部に親液処理を施す工程(S276)と、配線パターンの凹部をパターン材料溶液で埋める工程(S280)と、レジスト膜を除去してパターン材料からなる配線パターンを残す工程(S296)とを有する構成とした。

請求項（抜粋）：

被処理部材の表面に有機膜を設ける工程と、前記有機膜により所定パターンの凹部を形成する工程と、前記凹部をパターン材料溶液で埋める工程と、前記有機膜を除去して前記パターン材料を残す工程とを有するパターン形成方法であって、所定パターンの凹部を形成した前記有機膜の表面が前記パターン材料溶液に対して撥液性となる処理を施す工程を有することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (7件)：

H01L 21/3205 , G02F 1/1335 505 , G02F 1/1368 , H01L 21/283 , H01L 21/288 , H05B 33/10 , H05B 33/14

FI (7件)：

G02F 1/1335 505 , G02F 1/1368 , H01L 21/283 B , H01L 21/288 Z , H05B 33/10 , H05B 33/14 A , H01L 21/88 B

Fターム (47件)：

2H091FA02Y , 2H091FA44Z , 2H091GA13 , 2H091LA12 , 2H092JA24 , 2H092MA07 , 2H092MA08 , 2H092MA12 , 2H092MA17 , 2H092MA29 , 2H092NA27 , 2H092PA08 , 3K007AB18 , 3K007DB03 , 3K007FA01 , 4M104AA01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB36 , 4M104DD06 , 4M104DD22 , 4M104DD51 , 4M104DD78 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104EE16 , 4M104GG04 , 4M104HH20 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033MM01 , 5F033PP26 , 5F033QQ00 , 5F033QQ41 , 5F033QQ73 , 5F033QQ82 , 5F033RR04 , 5F033RR09 , 5F033SS11 , 5F033SS22 , 5F033VV15 , 5F033XX33 , 5F033XX34

引用特許：

審査官引用 (7件)

金属パターンの形成方法及び金属配線パターンを有する半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-118120 出願人：ソニー株式会社
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-007037 出願人：三菱マテリアル株式会社
薄膜積層体の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-322133 出願人：アルプス電気株式会社

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