特許

J-GLOBAL ID：200903010081534730

パターン形成方法

発明者： 松岡 晃次 ,  勝山 亜希子 ,  松尾 隆弘 ,  遠藤 政孝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-159731
公開番号（公開出願番号）：特開平10-083989
出願日： 1997年06月17日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】 リフローされた絶縁膜の上に化学増幅型レジストよりなるパターンを形成する場合に、裾ひき又は食い込みのない良好な形状のレジストパターンが形成されるようにする。【解決手段】 半導体基板11の上にBPSG膜12を形成した後、Arガス13を流しつつBPSG膜12をリフローする。次にBPSG膜12の上に化学増幅型レジストを塗布してレジスト膜15を形成した後、マスク16を介してKrFエキシマレーザ17を照射してレジスト膜15に露光する。BPSG膜12の表面には孤立電子対が存在しないためレジスト膜15中の酸が失活せず酸触媒による反応が均一に起きるので、レジスト膜15を現像すると裾ひきのない良好な形状のレジストパターン18が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にリフロー性を有する絶縁膜を堆積する絶縁膜堆積工程と、He,Ne,Ar,Kr及びXeのうちの少なくとも1つを含む不活性ガスを流しつつ前記絶縁膜を熱処理することにより、前記絶縁膜をリフローするリフロー工程と、リフローされた絶縁膜の上に化学増幅型レジストを塗布してレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜を露光した後に現像することにより前記レジスト膜よりなるパターンを形成するパターン形成工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

H01L 21/316 H ,  H01L 21/316 P ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/30 563