特許

J-GLOBAL ID：200903010081729809

イオン注入装置及び半導体ウェハ及びその評価方法

発明者： 衣川 拓也
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-321202
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134431
出願日： 2000年10月20日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】ウェハ毎で容易にイオン注入状態を概ね把握することのできるイオン注入装置及びその評価方法及び半導体ウェハを提供する。【解決手段】イオン注入装置10は、イオンソース部11からビームライン部12を介してイオン注入室13に至る機構が構成されている。イオン注入室13内の試料台131に関し、回転制御可能な半導体ウェハWFの載置部132は、単なる半導体ウェハWFのオリフラ合わせだけでなく、所定の回転角で半導体ウェハWFが回転制御されるようになっている。ウェハの支持部(クランプリング)133は、ウェハの周縁部を押えつけて支持するものであるが、一箇所以上の切れ目、すなわち空き領域OPN1,OPN2が設けられ、ウェハの素子領域におけるイオン注入時、同じくイオン注入がなされ、評価用のモニタ領域となる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハへイオンを照射するイオン注入装置であって、イオンソース部からビームライン部を介してイオン注入室に至る機構と、前記注入室に配備された前記半導体ウェハを複数載置する試料台と、前記試料台に設けられ前記半導体ウェハの位置合わせをする回転制御機構と、前記試料台に設けられ前記半導体ウェハの周縁部で所定の空き領域を有して押える支持部と、を具備したことを特徴とするイオン注入装置。

IPC (4件)：

H01L 21/265 ,  C23C 14/48 ,  H01J 37/317 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

C23C 14/48 Z ,  H01J 37/317 B ,  H01L 21/66 L ,  H01L 21/265 T

Fターム (14件)：

4K029AA06 ,  4K029BD01 ,  4K029CA10 ,  4K029DE00 ,  4M106AA01 ,  4M106BA14 ,  4M106CA10 ,  4M106CA70 ,  4M106CB01 ,  4M106DH09 ,  4M106DH51 ,  4M106DJ20 ,  5C034CC08 ,  5C034CC11