特許

J-GLOBAL ID：200903010081811068

磁界センサー、それを用いた磁気式エンコーダー、及び磁気ヘッド

発明者： 下江 治 ,  三俣 千春 ,  三田 正裕 ,  諸野脇 幸昌 ,  板橋 弘光
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-326488
公開番号（公開出願番号）：特開2001-281313
出願日： 2000年10月26日
公開日（公表日）： 2001年10月10日
要約：

【要約】【課題】 ゼロ磁界で直流出力を発生しない高感度の磁気抵抗効果素子を用いた磁界センサーを提供する。【解決手段】 磁気抵抗効果を有する強磁性膜に磁気的なバイアスを印加するバイアス膜を備える磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子に交流電流を供給する手段と、前記磁気抵抗効果素子の直流電圧を検知する手段とを有し、前記バイアス膜は導電性膜あるいは強磁性膜であり、前記磁気抵抗効果素子は、前記交流電流により感磁特性の動作点が移動することを特徴とする磁界センサーを用いる。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗効果を有する強磁性膜と、前記強磁性膜に磁気的なバイアスを印加するバイアス膜を備える磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子に交流電流を供給する手段と、前記磁気抵抗効果素子の直流電圧を検知する手段とを有し、前記バイアス膜は導電性膜あるいは強磁性膜であり、前記磁気抵抗効果素子は、前記交流電流により感磁特性の動作点が移動することを特徴とする磁界センサー。

IPC (5件)：

G01R 33/09 ,  G01D 5/245 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/00 ,  H01L 43/08

FI (6件)：

G01D 5/245 R ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/00 ,  H01L 43/08 A ,  H01L 43/08 B ,  G01R 33/06 R

Fターム (28件)：

2F077AA36 ,  2F077AA37 ,  2F077AA38 ,  2F077NN04 ,  2F077NN19 ,  2F077PP14 ,  2F077QQ04 ,  2F077QQ15 ,  2F077TT55 ,  2F077VV11 ,  2G017AA01 ,  2G017AB05 ,  2G017AB07 ,  2G017AC09 ,  2G017AD54 ,  2G017BA02 ,  2G017BA03 ,  2G017BA05 ,  5D034BA02 ,  5D034BA04 ,  5D034CA08 ,  5E049AA01 ,  5E049AA07 ,  5E049AC00 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB02 ,  5E049GC01