特許

J-GLOBAL ID：200903010082319230

半導体装置の製造方法

発明者： 村田 智洋 ,  廣瀬 裕 ,  田中 毅 ,  上田 大助
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-160271
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363346
出願日： 2003年06月05日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

【課題】窒化ガリウム系電界効果トランジスタでリセス構造を導入する際に発生する加工損傷の導入、およびリセス部分のエッチング深さが面内で安定していないことによる閾値電圧の面内バラツキを防止する。【解決手段】レーザーアブレーション法により、ゲート電極が形成される領域の表面n-GaN接触層を除去する。このとき、照射するレーザーエネルギーをGaN結晶のバンドギャップより大きく、AlGaN結晶のバンドギャップより小さく設定することで、AlGaN層がストッパ層の役割を果たし、表面のGaN層のみを選択的に除去することができ、低損傷でかつ面内で均一な深さをもつリセス構造が作製できる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に複数のIII族窒化物半導体層を形成する工程と、前記III族窒化物半導体層に対し表面側より所定の領域にレーザ照射を行う工程と、最表面側のIII族窒化物半導体層に選択的に凹部を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L21/338 ,  H01L21/302 ,  H01L29/812 ,  H01L33/00 ,  H01S3/00

FI (4件)：

H01L29/80 F ,  H01L21/302 201B ,  H01L33/00 C ,  H01S3/00 A

Fターム (33件)：

5F004AA02 ,  5F004AA06 ,  5F004BA20 ,  5F004DB19 ,  5F004EA03 ,  5F004EA05 ,  5F004EA37 ,  5F004EA38 ,  5F004EB08 ,  5F004FA02 ,  5F004FA08 ,  5F041CA34 ,  5F041CA75 ,  5F041CA99 ,  5F072YY08 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GR04 ,  5F102GR12 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21