特許
J-GLOBAL ID:200903010086036615

スパッタリング装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 塩野入 章夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-312019
公開番号(公開出願番号):特開平6-158311
出願日: 1992年11月20日
公開日(公表日): 1994年06月07日
要約:
【要約】【目的】 スパッタリング装置において、ターゲットの局部的な削減をなくすことによりターゲット材料の利用効率を高め、さらに基板上の成膜の膜厚分布を均一とする。【構成】 スパッタリング装置を、基板B1〜B3を支持し回転させる基板ホルダBH1〜BH3と、基板B1〜B3と対向して配置される複数のターゲットT1〜T3と、複数のターゲットT1〜T3に対して基板B1〜B3と反対側の位置に設けられる複数の磁石M1〜M3とによってマグネトロンスパッタリング装置を構成し、複数のターゲットT1〜T3に対する複数の磁石M1〜M3の配置位置をそれぞれ異ならせて、エロージョン領域A1〜A3の均一化を行う。
請求項(抜粋):
スパッタリング装置において、(a)基板を回転させる移動手段と、(b)前記基板と対向して配置される複数のターゲットと、(c)前記複数のターゲットに対して前記基板と反対側の位置に設けられる複数の磁界発生手段とによってマグネトロンスパッタリングを構成し、(d)前記複数のターゲットに対する前記複数の磁界発生手段の配置位置をそれぞれ異ならせることを特徴とするスパッタリング装置。
IPC (3件):
C23C 14/35 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/31

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