特許
J-GLOBAL ID：200903010093126581
半導体デバイス及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-034553
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111981
出願日： 1998年02月17日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 デバイスの設計の余裕度を高め且つ高集積化を図ることができる半導体デバイス及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 基板の活性領域をフィールド領域から立ち上がる台状に形成させ、その台状の表面にゲート電極を形成させ、そのゲート電極の両側から立ち上がり部の側面にかけて不純物領域を形成させた。
請求項（抜粋）：
基板の活性領域をフィールド領域から立ち上がる台状に形成させ、その台状の表面にゲート電極を形成させ、そのゲート電極の両側から台状の立ち上がり部の側面にかけて不純物領域を形成させたことを特徴とする半導体デバイス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 X
, H01L 29/78 301 Y
