特許
J-GLOBAL ID：200903010094293813

炭化ケイ素焼結体及びその製造方法

発明者：
平田 好洋

平田 好洋 について

, 
日高 宣浩

日高 宣浩 について


出願人/特許権者：
国立大学法人 鹿児島大学

国立大学法人 鹿児島大学 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-011576
公開番号（公開出願番号）：特開2006-232659
出願日： 2006年01月19日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：
【課題】より高い強度を得ることができる炭化ケイ素焼結体及びその製造方法を提供する。【解決手段】ナノメータサイズのSiC粉体及びサブマイクロメータサイズのSiC粉体を硝酸イットリウム水溶液中に分散させた後、この硝酸イットリウム水溶液中にアルミナ粒子を添加することにより、サスペンションを作製する。そして、このサスペンションから得られた成形体を焼結する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ナノメータサイズのSiC粉体及びサブマイクロメータサイズのSiC粉体を焼結させて構成されたことを特徴とする炭化ケイ素焼結体。
IPC (2件)：
C04B 35/626 ,  C04B 35/565
FI (4件)：
C04B35/56 101P ,  C04B35/56 101C ,  C04B35/56 101F ,  C04B35/56 101R
Fターム (10件)：
4G001BA03 ,  4G001BA09 ,  4G001BA22 ,  4G001BB03 ,  4G001BB09 ,  4G001BB22 ,  4G001BC13 ,  4G001BC52 ,  4G001BC55 ,  4G001BD11
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特開昭60-239316号公報
審査官引用 (3件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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