トランジスタおよびその製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-299678
公開番号（公開出願番号）：特開2007-109918
出願日： 2005年10月14日
公開日（公表日）： 2007年04月26日
要約：

【課題】半導体活性層およびゲート絶縁膜の形成に用いる材料を同一にすることにより、製造プロセスを簡略化し低コスト化した、界面順位の低い低オフ電流で、良好なオン/オフ特性、移動度、導電率を持つトランジスタを提供すること。【解決手段】ゲート絶縁膜と半導体層を同一のスパッタターゲットから作製するにあたり、スパッタガスの酸素流量を制御することで、同一真空漕内で、半導体活性層の導電率が1×10-10S/cm以上10-2S/cm以下、ゲート絶縁膜の導電率が10-11S/cm以下とした半導体層とゲート絶縁膜を形成することができ、半導体層およびゲート絶縁膜の形成に際しての真空引きが1回で済ませ、低コストでトランジスタを製造する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に設けられた半導体層と、該半導体層に電気的に接触して配列されたソース電極と、前記半導体層に電気的に接触すると共に前記ソース電極に離隔して配列されたドレイン電極と、前記絶縁性基板を真上から見たときに前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に位置する前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極とを備え、該ゲート電極に印加する電圧の有無によって、前記ソース電極と前記ドレイン電極との導通をオン又はオフするトランジスタであって、前記半導体層および前記ゲート絶縁膜がIn、Ga、Zn、Oから構成されることを特徴とするトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , C23C 14/08

FI (5件)：

H01L29/78 627B , H01L29/78 618B , H01L29/78 617T , H01L29/78 617V , C23C14/08 K

Fターム (40件)：

4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA50 , 4K029BB02 , 4K029BB10 , 4K029BD01 , 4K029CA06 , 4K029DC05 , 4K029DC35 , 4K029DC39 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE07 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF05 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110QQ09

引用特許：

出願人引用 (1件)

トランジスタ及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-000047 出願人：科学技術振興事業団

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