特許

J-GLOBAL ID：200903010101441068

SiN系絶縁膜の成膜方法

発明者： 佐藤 淳一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-091546
公開番号（公開出願番号）：特開平7-300680
出願日： 1994年04月28日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】【構成】 Si原子にアジド基と炭素数2以上の炭化水素基とがそれぞれ少なくとも1つずつ結合されてなる有機Si化合物、あるいは、Si原子にアジド基と-NR2 基(但し、Rは炭素数1以上の炭化水素を示す)とがそれぞれ少なくとも1つずつ結合されてなる有機Si化合物を原料ガスとして用い、プラズマを間欠的に発生させながら、SiN系絶縁膜4を成膜する。【効果】 ボイドやクラックが発生することなく良好なカバレージを有し、且つ炭素成分の含有量およびパーティクルの付着や取り込みが低減されたSiN系絶縁膜が得られる。さらに膜厚均一性にも優れ、ウェハの大口径化にも対応できる。このため、パッシベーション膜や層間絶縁膜として形成すれば、十分な絶縁性も確保でき、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。

請求項（抜粋）：

プラズマCVD法により基板上にSiN系絶縁膜を成膜するに際し、原料ガスとして、Si原子にアジド基と炭素数2以上の炭化水素基とがそれぞれ少なくとも1つずつ結合されてなる有機Si化合物を用い、プラズマを間欠的に生成させながら成膜を行うことを特徴とするSiN系絶縁膜の成膜方法。

IPC (4件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/318