特許

J-GLOBAL ID：200903010103720932

電子デバイス非破壊内部欠陥検出装置

発明者： 伊部 英史
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-320850
公開番号（公開出願番号）：特開2000-146876
出願日： 1998年11月11日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：

【要約】【課題】 多重膜構造の電子デバイス内での欠陥検出を、該電子デバイスを破壊することなく、可能とするとともに、検出に要する時間を短縮する。【解決手段】 外筒31内に、かつ同軸状に内筒30を配置し、この内筒30の中心軸に沿う軌道の軽元素のイオンビームIiを電子デバイスとしての試料10に照射し、この試料10内の配線で反跳イオンIoを発生させる。この反跳イオンIoは外筒31と内筒30との間の空間に入り込み、その空間内の円環状をなすスリットで所定反跳角の範囲の反跳イオンを抽出する。抽出された反跳イオンは、エネルギーフィルタ33で特定の反跳角のものが選択され、同じ空間内に配置されている円環状のイオン検出器34で検出される。このイオン検出器34は、エネルギーの大きさ毎に入射した反跳イオンを計数し、エネルギーに対する計数値の分布をエネルギースペクトルとして図示しないモニタに表示させる。

請求項（抜粋）：

軽元素のイオンビームを生成する第1の手段と、該第1の手段で生成された該イオンビームを、入射イオンビームとして、加速,集束し、試料に入射させる第2の手段と、該入射イオンビームの該試料内での反跳によって生じた反跳イオンのうち、特定の反跳角の反跳イオンを抽出する第3の手段と、該第3の手段で抽出された該反跳イオンのうちの所望とするエネルギー範囲の反跳イオンを抽出する第4の手段と、該第4の手段で抽出された該反跳イオンを検出し、該反跳イオンをエネルギーの大きさ毎に計数する第5の手段とを備え、エネルギーに対する該反跳イオンの計数値からなるエネルギースペクトルを求めるように構成したことを特徴とする電子デバイス非破壊内部欠陥検出装置。

IPC (5件)：

G01N 23/225 ,  H01J 37/244 ,  H01J 37/29 ,  H01J 49/40 ,  H01L 21/66

FI (5件)：

G01N 23/225 ,  H01J 37/244 ,  H01J 37/29 ,  H01J 49/40 ,  H01L 21/66 N

Fターム (39件)：

2G001AA05 ,  2G001AA10 ,  2G001BA07 ,  2G001BA09 ,  2G001BA15 ,  2G001BA30 ,  2G001CA05 ,  2G001DA01 ,  2G001DA02 ,  2G001DA09 ,  2G001EA03 ,  2G001EA04 ,  2G001EA05 ,  2G001EA20 ,  2G001FA21 ,  2G001FA25 ,  2G001GA01 ,  2G001GA06 ,  2G001GA08 ,  2G001HA13 ,  2G001KA03 ,  2G001KA11 ,  2G001LA11 ,  2G001NA07 ,  2G001NA13 ,  2G001NA17 ,  2G001PA07 ,  2G001SA01 ,  4M106BA03 ,  4M106CA38 ,  4M106DB01 ,  4M106DB05 ,  4M106DB09 ,  4M106DJ23 ,  5C033NN05 ,  5C033NP01 ,  5C033NP04 ,  5C033QQ07 ,  5C033QQ13