特許
J-GLOBAL ID：200903010105399643
半導体記憶素子及びその製造方法、並びに半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-343790
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189774
出願日： 1996年12月24日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 半導体記憶素子を冗長切り替え素子として用いて、そのフローティングゲートに紫外線が入射しないようにすることにより、煩雑な冗長切り替え作業を簡略化し、紫外線消去による冗長情報の変動を防止し、かつ小型化を実現した不揮発性の半導体記憶素子及びその製造方法、並びにこの半導体記憶素子を用いた半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 フローティングゲート3を有し、このフローティングゲート3がコントロールゲート5で覆われており、かつこのコントロールゲート5が紫外線を透過しない材料からなる半導体記憶素子10、及びこの半導体記憶素子10を冗長切り替え素子として用いる半導体記録装置を構成する。
請求項（抜粋）：
ソース領域、ドレイン領域、フローティングゲート及びコントロールゲートを有し、上記フローティングゲートが、紫外線を透過しない材料からなる上記コントロールゲートで覆われて成ることを特徴とする半導体記憶素子。
IPC (6件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, G11C 16/04
, H01L 21/82
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, G11C 17/00 621 A
, H01L 21/82 R
, H01L 27/10 434
