特許
J-GLOBAL ID：200903010117486860
透明導電膜およびそれを用いた半導体装置ならびにその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-315502
公開番号（公開出願番号）：特開平6-088973
出願日： 1992年09月12日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：
【要約】【目的】 低抵抗かつ高透過率の透明導電膜およびそれを利用した半導体デバイス等を提供する。【構成】 室温下にてスパッタ法を用い、ITOを成膜した後に、水素雰囲気中にて200〜400°Cの温度でアニール処理を行う。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に、基板温度を0〜100°Cに保ち、DCスパッタ法、RFスパッタ法、電子ビーム蒸着法、プラズマCVD法のいずれかの方法でITO薄膜を作製した後に、水素雰囲気中で200〜400°Cでアニールすることを特徴とする透明導電膜の作製方法。
IPC (7件)：
G02F 1/136 500
, C23C 14/58
, H01B 5/14
, H01B 13/00 503
, H01L 29/40
, H01L 29/784
, H01L 21/336
H01L 29/78 311 A
, H01L 29/78 311 Y
