特許
J-GLOBAL ID：200903010127014710
集積回路用微細パターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-267874
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110228
出願日： 1991年10月16日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【目的】この発明はハイブリッド集積回路等で要求される微細な配線ピッチの配線パターン、抵抗体等を形成できるようにした集積回路用微細パターンの形成方法を提供することを目的とする。【構成】セラミック基板11の表面の全面に有機質被膜12を形成する。この有機質被膜12の表面には、レーザ光を配線パターンに対応して照射し、セラミック基板11の表面に達するまで配線パターンに対応した溝13を形成し、この溝13に例えば金による配線材料14を埋め込む。そして、この配線材料14を空気中で焼成すると同時に有機質被膜12を燃焼除去し、セラミック基板11上に配線材料14による配線パターンのみを残す。
請求項（抜粋）：
セラミック基板の表面に、均一な厚さの有機質被膜を形成する第1の工程と、前記有機質被膜表面に所定の配線パターンに対応してレーザ光を照射し、前記パターンに対応して前記セラミック基板表面に至るまで前記有機質被膜を除去する第2の工程と、前記有機質被膜の除去された溝パターン部に、配線材料を埋込設定する第3の工程と、前記埋め込まれた配線材料を空気中で焼成する第4の工程とを具備し、この第4の工程で前記有機質被膜が燃焼除去されるようにしたことを特徴とする集積回路用微細パターンの形成方法。
IPC (2件)：
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