特許

J-GLOBAL ID：200903010131670959

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 吉村 利比古
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-077890
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263617
出願日： 1994年03月25日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】 COB構造とSMT構造を回路基板上に実装した半導体集積回路装置において、COB構造に対するSMT工程の影響を回避し、COB構造の信頼性を高める。【構成】 回路基板11に半田を印刷し、この回路基板11にSMT部品14を搭載しかつCOB実装領域に保護枠15を搭載してCOB実装領域の基板表面を被覆する。そしてリフロー法によりSMT部品14を半田付けした後、保護枠15の耐熱シート152を除去して枠体151の内部に回路基板11の表面一部を露呈させ、この露呈面に半導体ベアチップ17等のCOB部品を実装し、かつ保護枠15内に樹脂を充填してCOB部品を樹脂封止する。

請求項（抜粋）：

半導体ベアチップと表面実装部品とを同一基板に実装してなる半導体集積回路装置の製造に際し、基板に半田を印刷する工程と、前記基板に表面実装部品を搭載しかつ前記半導体ベアチップを実装する領域に保護枠を搭載して前記半導体ベアチップ実装領域の基板表面を被覆する工程と、リフロー法により前記表面実装部品を半田付けする工程と、前記保護枠を除去して前記基板表面を露呈させ、この露呈面に半導体ベアチップを実装する工程とを含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。