特許

J-GLOBAL ID：200903010134247364

フイールドシールド分離構造の半導体装置およびその製造方法

発明者： 橋本 正幸
出願人/特許権者： 株式会社エヌ・エム・ビーセミコンダクター
代理人 (1件)： 萼 経夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-298483
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109886
出願日： 1991年10月17日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】 微細な素子間隔を絶縁分離可能にする新たなフィールドシールド分離構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。【構成】 MOSFET構造を電気的に分離するフィールドシールドを有する半導体装置において、フィールドシールド電極を半導体基板の上部からMOSFETのソースまたはドレイン拡散層の底部以下の位置に渡って埋設させた構造。その製造方法は、フィールドシールド分離領域に溝を形成して、その底部をMOSFETのソースまたはドレイン拡散層の底部となるべき位置以下にまで掘り込み、前記溝の内面に絶縁膜を形成し、前記溝をフィールドシールド電極となるべき導電体で埋め込み、さらに該導電体を絶縁膜で被覆することにより前記フィールドシールド構造を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板のMOSFET構造を電気的に分離するフィールドシールド分離構造を有する半導体装置において、フィールドシールド電極を前記半導体基板の上部から前記MOSFETのソースまたはドレイン拡散層の底部以下の位置に渡って埋設させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/76 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-071246
  
• 特開昭61-290753
  
• 特開昭60-250645