特許
J-GLOBAL ID:200903010134708221
銅スパッタリングタ-ゲット
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
中村 稔 (外9名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-359616
公開番号(公開出願番号):特開2000-199058
出願日: 1999年11月12日
公開日(公表日): 2000年07月18日
要約:
【要約】【課題】 暗空間ギャップと絶縁リング内に堆積された粒子の実質上の減少を図る。【解決手段】 本発明は一般に、基板上の金属の物理蒸着装置及び方法を提供し、物理蒸着チャンバーと、該チャンバーの上部に配置されたターゲット300とを含んでいる。ターゲットは中央部分308と前記物理蒸着チャンバーに取付可能なフランジ部分314とを有する受板302と、該受板の中央部分から延びるスパッタ可能な部分304と、前記フランジ部分の表面に配置された環状の隆起部332とを含んでいる。好ましくは、前記ターゲットのスパッタ可能な部分は制限側壁312を含み、上部シールド322と前記ターゲットの間の前記暗空間ギャップ320へのプラズマ及び後方散乱粒子の侵入を制限する。
請求項(抜粋):
a)物理蒸着チャンバーに取付可能な中央部分とフランジ部分を有する受板と、b)該受板の前記中央部分に配置されたスパッタ可能な部分と、c)前記フランジ部分の表面に配置された環状の隆起部と、を含むことを特徴とする物理蒸着チャンバー用ターゲット。
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