特許

J-GLOBAL ID：200903010136766075

半導体装置及びその製造方法

発明者： 中尾 圭策 ,  佐々井 洋一 ,  十代 勇治 ,  野間 淳史
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-181608
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082683
出願日： 1999年06月28日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：

【要約】【課題】 基板上に形成された一の半導体素子と該半導体素子を覆う絶縁膜上に形成される他の半導体素子とを電気的に接続するコンタクトホールの信頼性を向上させる。【解決手段】 基板11上のトランジスタ17を覆う絶縁膜19のコンタクトホール19aには、該コンタクトホール19aの内部及び上部を残して、その壁面及びドレイン領域15上に、イリジウムからなり膜厚が0.1μm程度の下地導電膜20が形成されており、コンタクトホール19aの内部及び上部には白金からなるプラグ21が充填されて形成されている。絶縁膜19におけるコンタクトホール19a上には、下地導電膜20及びプラグ21の上端面と接するように、白金からなる下部電極25とSrBi2Ta2O9 からなる容量絶縁膜26と白金からなる上部電極27とにより構成された容量素子28が形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体素子が形成された基板と、前記基板の上に、接続孔を有し前記半導体素子を覆うように形成された絶縁膜と、前記接続孔の少なくとも下部に形成され、前記半導体素子と電気的に接続された白金族元素を含む下地導電膜と、前記接続孔の上部に形成され、白金族元素を含む導電膜とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6件)：

H01L 21/28 301 Z ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/90 C ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371