特許

J-GLOBAL ID：200903010137557984

半導体装置の製造方法

発明者： 井上 肇 ,  三村 勝巳
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-366985
公開番号（公開出願番号）：特開2003-165506
出願日： 2001年11月30日
公開日（公表日）： 2003年06月10日
要約：

【要約】【課題】 カバーテープの上からカメラで外観検査を行い、作業性向上を図る。【解決手段】 キャリアテープ2およびカバーテープ11により梱包された半導体装置10を、カバーテープ11の上から外観検査用カメラ6により外観検査を行うことで、半導体装置10の良否判定を安定した感度で行うことができ、外観不良の見逃しを低減することができ、また、外観検査作業の軽減を図ることができるため、作業性が向上する。

請求項（抜粋）：

(a)半導体装置の外観検査をする第1外観検査工程と、(b)前記(a)工程の後、カバーテープを用いて前記半導体装置をテーピング梱包する工程と、(c)前記(b)工程の後、前記(a)工程から前記(b)工程までの間に生じた前記半導体装置の外観不良をカメラにより自動検査する第2外観検査工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

B65B 15/04 ,  B65B 57/10 ,  G01N 21/85

FI (3件)：

B65B 15/04 N ,  B65B 57/10 D ,  G01N 21/85 Z

Fターム (6件)：

2G051AA62 ,  2G051AB02 ,  2G051CA04 ,  2G051DA01 ,  2G051DA06 ,  2G051DA13