特許
J-GLOBAL ID：200903010138272355
高度不飽和化合物の選択的水素化のための改良された方法、および炭化水素流れ中のオレフィンの異性化
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
社本 一夫 (外6名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-505840
公開番号（公開出願番号）：特表2000-505117
出願日： 1996年06月27日
公開日（公表日）： 2000年04月25日
要約：
【要約】C3〜C12石油フラクション(例えば、エーテル化用の供給原料として使用される軽質分解ナフサ)を処理するための方法。本方法では、少なくともC3フラクションを蒸留することによってH2Sを除去し、これと同時に、蒸留塔反応器(20)において二重触媒床(22,24)を使用してメルカプタンとジオレフィンを除去する。還元ニッケル触媒(22)の存在下にて、メルカプタンおよびH2Sをジオレフィンと反応させて硫化物を形成させる。こうして形成された硫化物は、供給物の一部より沸点が高い。したがって、供給物の一部が分留されてパラジウムを含んだ上方の水素化触媒床(24)へと上昇し、そこでジオレフィンとアセチレン類が水素化される。高沸点の硫化物が、重質物質と共に塔底液(110)として除去される。硫化物に転化されなかったジオレフィンとアセチレンは、上側床(24)において酸化パラジウム触媒の存在下にてモノオレフィンに選択的に水素化され、イオウ化合物、ジオレフィン、およびアセチレンを実質的に含まないオーバーヘッド(116)が得られる。
請求項（抜粋）：
アルカン、モノオレフィン、ジオレフィン、アセチレン類、および少量のイオウ化合物を含んだC3〜C12炭化水素を含む炭化水素流れを蒸留して、少なくともC3の炭化水素を含むフラクションとイオウ化合物の一部を除去する工程、および残留物を残す工程とを含み、このとき同時に (a) ニッケル、コバルト、鉄、およびこれらの化合物からなる群から選ばれ、蒸留構造物の形態で造られた第1の水素化触媒を含んだ第1の床と、蒸留塔反応器中において前記第1の床の上に配置されていて、白金、パラジウム、ロジウム、およびこれらの化合物からなる群から選ばれ、蒸留構造物として造られた第2の水素化触媒を含んだ第2の床とを収容している蒸留塔反応器に、前記残留物の一部と水素とを供給する工程、このとき残留物中のイオウ化合物が、前記第1の床においてジオレフィンの一部と反応して第1の反応混合物中に硫化物を形成する; (b) 前記第1の反応混合物を分留して硫化物を重質フラクションと共に除去し、軽質フラクションを第2の床に通す工程; (c) 前記軽質フラクション中のジオレフィンとアセチレン類を前記第2の床において水素化して、第2の反応混合物を形成させる工程; (d) 前記第2の反応混合物を分留する工程;および (e) イオウ化合物、アセチレン類、およびジオレフィンを実質的に含まないフラクションオーバーヘッドを取り出す工程;を含む、3〜12個の炭素原子を有する脂肪族炭化水素の流れからメルカプタンおよび/または硫化水素を除去するための方法。
IPC (10件)：
C10G 45/06
, B01J 23/63
, B01J 23/755
, C07C 5/13
, C07C 11/02
, C10G 45/10
, C10G 45/40
, C10G 67/02
, B01D 3/00
, C07B 61/00 300
C10G 45/06 Z
, C07C 5/13
, C07C 11/02
, C10G 45/10 Z
, C10G 45/40
, C10G 67/02
, B01D 3/00 A
, C07B 61/00 300
, B01J 23/56 X
, B01J 23/74 321 X
