特許
J-GLOBAL ID：200903010140062775
スパッタ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-225775
公開番号（公開出願番号）：特開平8-067981
出願日： 1994年08月26日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：
【要約】【目的】 基板とターゲットの間にアノード電極を配置したスパッタ装置で、基板トレイまたは基板とアノード電極との間での異常放電の発生を防止し、再現性、信頼性、安定性の高い成膜を行い、実用性および量産性を高める。【構成】 ターゲット18とこのターゲット上に磁界を生成するマグネット19とを含むカソード電極機構15と、プロセスガスを導入するガス導入機構24と、カソード電極機構に電圧を印加する電源21を備え、磁界および電圧によりプロセスガスをプラズマ化し、このプラズマによってターゲットをスパッタし、ターゲットに対向して配置された基板22に薄膜を作製するスパッタ装置であり、ターゲットと基板の間に正電圧が印加されたアノード電極25を配置し、このアノード電極と基板の間に接地電位に保たれた接地電極31を配置する。
請求項（抜粋）：
ターゲットとこのターゲット上に磁界を生成するマグネットとを含むカソード電極機構と、プロセスガスを導入するガス導入機構と、前記カソード電極機構に電圧を印加する電源を備え、前記磁界および前記電圧により前記プロセスガスをプラズマ化し、このプラズマによって前記ターゲットのターゲット物質をスパッタし、前記ターゲットに対向して配置された基板上に薄膜を作製するスパッタ装置において、前記ターゲットと前記基板の間に正電圧が印加された第1電極を配置し、この第1電極と前記基板の間に接地電位の第2電極を配置したことを特徴とするスパッタ装置。
IPC (3件)：
C23C 14/35
, C23C 14/44
, H01L 21/203
