半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北野好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-205670
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070107
出願日： 1994年08月30日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】高誘電性材料の誘電率を損なわず、高誘電性材料の成膜によって下地電極に突起が発生しない半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】シリコン基板10上にシリコン酸化膜12が形成された下地基板上の電極14上に、高い誘電率をもつ誘電体膜16が形成されている半導体装置において、電極14は、所定の量のイリジウム又はオスミウムの少なくとも1種類が添加された酸化ルテニウムにより形成されている。

請求項（抜粋）：

下地基板上に形成された電極上に、高い誘電率をもつ誘電体膜が形成されている半導体装置において、前記電極は、所定の量のイリジウム又はオスミウムの少なくとも1種類が添加された酸化ルテニウムにより形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/04 C

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