特許

J-GLOBAL ID：200903010154401130

ダイヤモンドショットキダイオード並びにこれを利用したガスセンサ及び化学物質センサ

発明者： ヤスコ・フォン ウインドハイム ,  バスデフ・ベンカテサン
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-216267
公開番号（公開出願番号）：特開平6-222027
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 電気容量/電圧特性の周波数依存性が小さいダイヤモンドショットキダイオード及びそれを用いて組立てたガスセンサを提供する。【構成】 ショットキダイオードから組立てられたガスセンサ10は、ダイヤモンド層11の第1面11a上のショットキ接触12と、第2面11b上のオーミック接触13を有するが、ダイヤモンド層は低抵抗のオーミック接触13を形成するため、隣接する高ドープ領域11cを有している。従ってオーミック接触13に隣接する高ドープ領域を有しないショットキダイオードやガスセンサに比して、上記例のガスセンサ10では電気容量/電圧特性の周波数依存性が著しく減少する。接触抵抗が10-3Ω・cm2以内のオーミック接触を形成するためには、高ドープ領域のボロン濃度を1020原子/cm3以上にすることが望ましい。オーミック接触13はショットキ接触12の反対面上に形成されるのが望ましい。

請求項（抜粋）：

対向する第1の面及び第2の面を有するダイヤモンド層と、前記第1の面上の第1コンタクトと、前記第2の面上の第2コンタクトとを有し、前記第1コンタクトが前記第1コンタクトと前記第1の面との間に予め設定したショットキバリア高のショットキバリアを形成し、前記第1コンタクトがガスと前記第1の面との相互作用を可能にし、それにより前記予め設定したショットキバリア高を変化させ、前記ダイヤモンド層が前記第2コンタクトに隣接した高ドープ領域を有し、前記第2コンタクトが前記高ドープ領域とオーミックコンタクトを形成することを特徴とするガスセンサ。

IPC (2件)：

G01N 27/12 ,  H01L 29/48