特許

J-GLOBAL ID：200903010165038194

縦型MOSFET装置及びその製造方法

発明者： 島田 浩行
出願人/特許権者： オムロン株式会社
代理人 (1件)： 板谷 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-041928
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232163
出願日： 1993年02月05日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 拡散層によって素子部を閉素子構造にすることにより、微細化な構造で低オン抵抗である縦型MOSFET装置及びその製造方法を提供する。【構成】 第1溝部5に埋め込まれたポリシリコンを選択的に酸化することによりポリシリコン上に層間絶縁膜8を形成して、この層間絶縁膜8をマスクとして自己整合により、素子部を閉素子構造にするような第2溝部9を形成する。このことにより、オン抵抗の低いFET装置が得られる。

請求項（抜粋）：

N型もしくはP型半導体基板又はN型もしくはP型エピタキシャル層の表面部に、P型もしくはN型半導体でなる第1拡散層及びN型もしくはP型半導体でなる第2拡散層の二重拡散層と、ゲート酸化膜及びゲートポリシリコン電極が埋設された第1溝部とを有し、かつ、チャネルが垂直方向に配設されている縦型MOSFET装置において、素子部を、上記第1拡散層と上記第2拡散層を短絡する第2溝部を設けた閉素子構造とし、かつ上記第2溝部は上記第1溝部に埋め込まれたポリシリコンを選択酸化することによって形成される層間絶縁膜のバーズビーク部をマスクとして自己整合にて形成されたことを特徴とする縦型MOSFET装置。

IPC (2件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (3件)：

H01L 29/78 321 P ,  H01L 29/78 321 V ,  H01L 29/78 321 S