特許
J-GLOBAL ID：200903010165223153
転写された薄膜構造ブロック間の電気的導通をとる方法,アクティブマトリクス基板の製造方法,アクティブマトリクス基板および液晶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-353166
公開番号（公開出願番号）：特開平10-177187
出願日： 1996年12月16日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：
【要約】【課題】 本発明の目的の一つは、新規な薄膜構造の転写技術を複数回実行して、優れた特性をもつ大型のアクティブマトリクス基板や液晶表示装置を効果的に製造する、まったく新しい方法を提供することにある。【解決手段】 薄膜構造の転写方法を用いて薄膜構造ブロック(1000〜1800)を転写体上に転写する場合に、まず、第1の薄膜構造ブロック群(1000,1200等)を所望の転写体上に転写し、次に、これらの一部に重ねて第2の薄膜構造ブロック群(1100,1300等)を転写し、その重なりの部分で薄膜構造ブロック間の電気的導通を確保する。転写元基板のサイズの制約を排して自由なサイズのアクティブマトリクス基板を製造できる。
請求項（抜粋）：
下記(1)に記載の薄膜構造の転写方法を用いて第1および第2の薄膜構造ブロックを転写する場合に、まず、前記第1の薄膜構造ブロックを所望の転写体上に転写し、転写された前記第1の薄膜構造ブロックの一部に重ねて前記第2の薄膜構造ブロックを転写し、その重なりの部分で薄膜構造ブロック間の電気的導通を確保することを特徴とする、転写された薄膜構造ブロック間の電気的導通をとる方法。(1)以下の工程を有する薄膜構造の転写方法。基板上に分離層を形成する工程。前記分離層上に薄膜構造ブロックを形成する工程。前記薄膜構造ブロックを接着層を介して転写体に接合する工程。前記分離層に光を照射し、前記分離層の層内および/または界面において剥離を生じせしめる工程。前記基板を前記分離層から離脱させる工程。
IPC (5件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, G09F 9/30 338
, H01L 29/786
, H01L 21/336
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, G09F 9/30 338
, H01L 29/78 612 D
