特許
J-GLOBAL ID：200903010165819803
パーティクル発生防止方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
倉内 基弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-104634
公開番号（公開出願番号）：特開平8-277466
出願日： 1995年04月06日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：
【要約】【目的】 マイクロアーキングを生じることなく、スパッタリングターゲットおよびバッキングプレートに付着した膜の剥離を効果的に防止する方法の開発。【構成】 スパッタリングターゲット側面1’及びバッキングプレート側面2’の非エロージョン部をTiN、MoSi2 またはWSi2 の電導性粒子でブラストする。ターゲットの例はTiN、W、Ta、Mo、Ti、Al、MoSi2 、WSi2 及びTiSi2 である。ブラスト粒子をスパッタリングターゲットと同じ材料のものとすることが好ましい。ブラストにより表面粗さを好ましくは10μm以上とする。
請求項（抜粋）：
スパッタリングターゲット側面及びバッキングプレート側面の非エロージョン部をTiN、MoSi2 またはWSi2 粒子でブラストすることを特徴とするスパッタリングにおけるパーティクル発生防止方法。
IPC (3件)：
C23C 14/34
, C23C 14/02
, H01L 21/203
C23C 14/34 C
, C23C 14/02 Z
, H01L 21/203 S
