特許

J-GLOBAL ID：200903010167320210

半導体レーザ

発明者： 清水 隆徳 ,  横山 弘之
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-253860
公開番号（公開出願番号）：特開平7-111358
出願日： 1993年10月12日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：

【要約】【目的】 モード同期半導体レーザの繰り返し周波数の高周波化を図る。【構成】 可飽和吸収領域200と利得領域210と第2利得領域300がモノリシックに順に配列されている。へき開端面70と反射側壁72とで形成される共振器長をLとしたとき、へき開端面71と反射側壁72で形成される共振器長をL/n(nは整数)とすれば、半導体レーザ1で発生するモード同期光パルス列の繰り返し周波数は、複合共振器の効果によって共振器長L/nに対応したものとなり、共振器長Lのモード同期光パルス列のn倍の繰り返し周波数となる。

請求項（抜粋）：

集積型のモード同期半導体レーザにおいて、一対のへき開端面の間に端面と平行な一対の側壁を有する溝が活性層の下まで形成され、一方の側壁には無反射コーティングが施され、他方の反射側壁と一方のへき開端面とで構成される第1の共振器の間に可飽和吸収領域と利得領域とが配置され、前記反射側壁と他方のへき開端面によって構成される第2の共振器の光路長が前記第1の共振器の光路長の整数分の1であることを特徴とするモード同期半導体レーザ。